三星公布下一代存储路线图：HBM5性能为HBM4E的2倍，全新zHBM目标8倍

三星公布下一代存储路线图：HBM5性能为HBM4E的2倍，HBM5基础芯片制程升至2纳米、预计2028年量产；全新架构zHBM目标性能为HBM4E的8倍，预计2029年后推出。