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2026-08-08总第 26 期
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SK海力士拟投资380亿美元新建两座存储晶圆厂:龙仁+清州双基地,HBM/DRAM/NAND产能按需扩张
SK海力士宣布投资约54.3万亿韩元(约382.82亿美元)在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂,扩大HBM、下一代DRAM及NAND产能。
公司采取「基础设施先行、设备按需投入」策略,预计2028年底至2029年陆续投产,并根据客户需求灵活增加产能。
存储「超级周期」下,全球存储巨头资本开支竞赛升级——HBM三巨头同步扩产,AI算力对存储带宽的渴求正转化为千亿级资本开支。
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