三星官宣zHBM与zNAND-O概念产品：垂直折叠技术，性能约为HBM5的8倍

zHBM将HBM直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍，存储3D化开启新范式。